铌酸锂芯片

铌酸锂芯片实现量子调控突破，让厘米级芯片容纳1000多条量子通道

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员首次在铌酸锂芯片上揭示了铁电材料在低温环境下的调控功能，实现了片上独立调控，打造了直流直驱铁电畴工程新技术，让可扩展量子光源的芯片化集成得以成功解决。